KLA是全 球半導(dǎo)體在線檢測設(shè)備市場較大的供應(yīng)商，在半導(dǎo)體、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、 MEMS 、太陽能、光電子以及其他領(lǐng)域中有著不俗的市占率。 P-7是KLA公司的第八代探針式臺(tái)階儀系統(tǒng)，歷經(jīng)技術(shù)積累和不斷迭代更新，集合眾多技術(shù)優(yōu)勢。 P-7建立在市場領(lǐng)先的P-17臺(tái)式探針輪廓分析系統(tǒng)的成功基礎(chǔ)之上。 它保持了P-17技術(shù)的測量性能，并作為臺(tái)式探針輪廓儀平臺(tái)提供了好的性價(jià)比。 P-7可以對(duì)臺(tái)階高度、粗糙度、翹曲度和應(yīng)力進(jìn)行2D和3D測量，其掃描可達(dá)150mm而無需圖像拼接。從可靠性表現(xiàn)來看， P-7具有較好的測量重復(fù)性。UltraLite?傳感器具有動(dòng)態(tài)力控制，良好的線性，和精準(zhǔn)的垂直分辨率等特性。友好的用戶界面和自動(dòng)化測量可以適配大學(xué)、研發(fā)、生產(chǎn)等不同應(yīng)用場景。

二、 功能

    設(shè)備特點(diǎn)

    臺(tái)階高度：幾納米至1000um

    微力恒力控制：0.03mg至50mg

    樣品全直徑掃描，無需圖像拼接

    視頻：500萬像素高分辨率彩色攝像機(jī)

    圓弧矯正：消除由于探針的弧形運(yùn)動(dòng)引起的誤差

    生產(chǎn)能力：通過測序，模式識(shí)別和SECS/GEM實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化

    主要應(yīng)用

    薄膜/厚膜臺(tái)階

    刻蝕深度測量

    光阻/光刻膠臺(tái)階

    柔性薄膜

    表面粗糙度/波紋度表征

    表面曲率和輪廓分析

    薄膜的2D Stress量測

    表面結(jié)構(gòu)分析

    表面3D輪廓成像

    缺陷表征和分析

    其他多種表面分析功能

三、應(yīng)用案例

·    臺(tái)階高度

    P-7可以提供納米級(jí)到1000μm的2D和3D臺(tái)階高度的測量。 這使其能夠量化在蝕刻，濺射，SIMS，沉積，旋涂，CMP和其他工藝期間沉積或去除的材料。P-7具有恒力控制功能，無論臺(tái)階高度如何都可以動(dòng)態(tài)調(diào)整并施加相同的微力。這保證了良好的測量穩(wěn)定性并且能夠測量諸如光刻膠的軟性材料。

    紋理：粗糙度和波紋度

    P-7提供2D和3D紋理測量并量化樣品的粗糙度和波紋度。軟件濾鏡功能將測量值分為粗糙度和波紋度部分，并計(jì)算諸如均方根（RMS）粗糙度之類的參數(shù)。

外形：翹曲和形狀

    P-7可以測量表面的2D形狀或翹曲。這包括對(duì)晶圓翹曲的測量，例如半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中的多層沉積期間由于層與層的不匹配是導(dǎo)致這種翹曲的原因。P-7還可以量化包括透鏡在內(nèi)的結(jié)構(gòu)高度和曲率半徑。

    應(yīng)力：2D和3D薄膜應(yīng)力

    P-7能夠測量在生產(chǎn)包含多個(gè)工藝層的半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體器件期間所產(chǎn)生的應(yīng)力。 使用應(yīng)力卡盤將樣品支撐在中性位置并精確測量樣品翹曲。然后通過應(yīng)用Stoney方程，利用諸如薄膜沉積工藝的形狀變化來計(jì)算應(yīng)力。2D應(yīng)力通過在直徑達(dá)200mm的樣品上通過單次掃描測量，無需圖像拼接。3D應(yīng)力的測量采用多個(gè)2D掃描，并結(jié)合θ平臺(tái)在掃描之間的旋轉(zhuǎn)對(duì)整個(gè)樣品表面進(jìn)行測量。

    缺陷復(fù)檢

    缺陷復(fù)查用于測量如劃痕深度之類的缺陷形貌。缺陷檢測設(shè)備找出缺陷并將其位置坐標(biāo)寫入KLARF文件。“缺陷復(fù)檢”功能讀取KLARF文件、對(duì)準(zhǔn)樣本，并允許用戶選擇缺陷進(jìn)行2D或3D測量。