SME-ICP-MS 技術(shù)為硅片表面的痕量金屬表征提供了一種靈敏且準(zhǔn)確的方法?？稍诓坏?nbsp; 20  分鐘的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片的前處理和分析，為生產(chǎn)質(zhì)量評(píng)估提供實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。使用  STS  條件可基本消除采用  ICP-MS  分析SME 液滴基質(zhì)時(shí)的潛在物理干擾。將此功能與軟提取操作模式相結(jié)合，可使檢測(cè)能力超過(guò)國(guó)家技術(shù)路線圖2009 年針對(duì) 450 mm 晶圓所規(guī)定的要求。