●樣品尺寸：４英寸基片向下兼容 ●10個(gè)源爐接口，其他數(shù)量可定制 ●具有快速進(jìn)樣及傳樣的特點(diǎn)；最多暫存5片樣品，其他數(shù)量可定制 ●兼容SPM、RHEED、QCM、BFM等多種原位生長(zhǎng)表征和監(jiān)測(cè)手段 ●全自動(dòng)化生長(zhǎng)系統(tǒng)，可對(duì)各腔體真空泵實(shí)施操作、可控制各互聯(lián)腔體插板閥、可進(jìn)行工藝編程及實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)狀態(tài)；19寸觸控式總控屏幕 ●集成化水電氣模塊，便于后期維護(hù)

全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等。

激光分子束外延(Laser MBE)是上個(gè)世紀(jì)90年代發(fā)展起來(lái)的一種新型高精密制膜技術(shù)，它集PLD的制膜特點(diǎn)和傳統(tǒng)MBE的超高真空精確控制原子尺度外延生長(zhǎng)的原位實(shí)時(shí)監(jiān)控為一體，除保持了PLD方法制備的膜系寬，還可以生長(zhǎng)通常的半導(dǎo)體超晶格材料，特別適合生長(zhǎng)多元素、高熔點(diǎn)、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜，如超導(dǎo)體、光學(xué)晶體、鐵電體、壓電體、鐵磁體以及有機(jī)高分子等。

獨(dú)立的MAPLE PLD系統(tǒng)。 有機(jī)和聚合物薄膜的沉積。 在同一室的附加沉積源(可選):脈沖電子沉積(PED)、射頻/直流濺射和直流離子源。 負(fù)載鎖定基底階段。 與XPS分析系統(tǒng)集成，晶片就地從PLD系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到分析系統(tǒng)

OCTOPLUS 400 是一款通用型MBE系統(tǒng)，非常適合于III/V族， II/VI族，及其他復(fù)合半導(dǎo)體材料應(yīng)用。兼容2-4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶片。豎直分割式腔體設(shè)計(jì)，可以裝配各種源爐，實(shí)現(xiàn)不同材料分子束外延生長(zhǎng)。

OCTOPLUS 500 MBE系統(tǒng)是為了在6英寸襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的III/V族或者II-VI族異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料而研發(fā)專業(yè)分子束外延系統(tǒng)。樣品臺(tái)選用熱解石墨加熱或者鎢、鉭加熱絲。標(biāo)準(zhǔn)的OCTOPLUS 500有11個(gè)呈放射狀分布的源孔，可以根據(jù)需要增選3個(gè)源孔。

荷蘭TSST脈沖激光沉積/激光分子束外延系統(tǒng)，脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來(lái)，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE），是在PLD的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的外延薄膜生長(zhǎng)技術(shù)。