儀器網(wǎng)>產(chǎn)品中心>實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備>制樣/消解設(shè)備>氣相沉積系統(tǒng) 更新時(shí)間：2026-02-06 01:45:47

氣相沉積系統(tǒng)

（共18件相關(guān)產(chǎn)品信息）

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產(chǎn)品產(chǎn)地：: 不限中國(guó)大陸大洋洲歐洲亞洲美洲

廠商性質(zhì)：: 不限自營(yíng) 代理經(jīng)銷

銷售地區(qū)：: 不限售全國(guó) 售本省售本市

產(chǎn)品品牌：

不限
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￥4980000

德國(guó)IPLAS 微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)CYRANNUS

品牌：德國(guó)iplas 型號(hào)：iplas 微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：歐洲德國(guó)

廠商：深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

簡(jiǎn)介：德國(guó)IPLAS MPCVD CYRANNUS? 專利技術(shù)微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應(yīng)用于第四代半導(dǎo)體，射頻器件，散熱器件，光學(xué)窗口等高科技令域。晶圓生長(zhǎng)金剛石膜，是第四代半導(dǎo)體材料。
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美NANO-MASTER的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng)NPE-4000

品牌：美國(guó)Nano-Master 型號(hào)：NPE-4000,NRP-4000,NSP-4000 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

簡(jiǎn)介：NANO-MASTER的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng)NPE-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜?；蹇梢匀菁{8英寸晶圓，可通過(guò)射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過(guò)熱電阻或者紅外燈加熱到800°C。
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法國(guó)Plassys微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) SSDR 150

品牌：法國(guó)Plassys 型號(hào)：SSDR 150 產(chǎn)地：歐洲法國(guó)

廠商：深圳市藍(lán)星宇電子科技有限公司

簡(jiǎn)介：法國(guó)Plassys微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) SSDR 150 ,專門用于合成 CVD 金剛石薄膜，能夠制備高純單晶(需高純氣源）、厚單晶、大單晶、多晶薄膜、光學(xué)級(jí)窗口。SSDR150 不斷優(yōu)化的微波及等離子體設(shè)計(jì)，是一款可靠的、穩(wěn)定的、長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的金剛石薄膜生長(zhǎng)系統(tǒng)，能夠wan美地適用于高?？蒲泻推髽I(yè)生產(chǎn)。
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超高真空多腔室物理氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國(guó)PVD 型號(hào)：4000 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：科睿設(shè)備有限公司

簡(jiǎn)介：該系統(tǒng)由全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備商制造,配置多種沉積方式(預(yù)留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國(guó)PVD 型號(hào)：G 4000 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：科睿設(shè)備有限公司

簡(jiǎn)介：PECVD：是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD).
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微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-MPCVD

品牌：iplas 型號(hào)：iplas CYRANNUS 產(chǎn)地：歐洲德國(guó)

廠商：清砥量子科學(xué)儀器（北京）有限公司

簡(jiǎn)介： 1. CYRANNUS?技術(shù)無(wú)需在樣品腔內(nèi)安裝內(nèi)部電極，在沉積腔內(nèi)，沒(méi)有工作氣體以外的任何物質(zhì)，潔凈，無(wú)污染源。等離子發(fā)生器可以保持長(zhǎng)壽命，并可以確保腔內(nèi)的等離子體的均勻分布，進(jìn)一步生成晶體的純凈度和生長(zhǎng)周期。 2. CYRANNUS?技術(shù)的腔外多電極設(shè)置，確保等離子團(tuán)穩(wěn)定生成于腔內(nèi)ZX位置，對(duì)腔壁、窗口等無(wú)侵蝕作用，減少雜質(zhì)來(lái)源，提高晶體純度。由CYRANNUS?系統(tǒng)合成的金剛石，純度均在VVS級(jí)別以上。
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€65000

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

品牌：iplas 型號(hào)：CYRANNUS 產(chǎn)地：歐洲德國(guó)

廠商：清砥量子科學(xué)儀器（北京）有限公司
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￥3500000

YES-EcoCoat硅烷單層氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國(guó)YES 型號(hào)：YES-EcoCoat 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：上海跡亞國(guó)際商貿(mào)有限公司

簡(jiǎn)介：具有原位等離子體的硅烷單層氣相沉積系統(tǒng)
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1700度高真空CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

品牌：諾巴迪型號(hào)：NBD-T1700-80TIG2Z（18838290747）產(chǎn)地：河南鄭州

廠商：河南諾巴迪材料科技有限公司
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NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

品牌：美國(guó)Nano-Master 型號(hào)：NPE-3500PECVD 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：深圳市科時(shí)達(dá)電子科技有限公司

簡(jiǎn)介： NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)概述：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到ZD可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。
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PECVD設(shè)備 NPE-4000(ICPA)自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：NPE-4000（ICPA）產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。
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CVD設(shè)備微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：PECVD 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。
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PECVD鍍膜設(shè)備 NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：NPE-3500 產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。
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PECVD設(shè)備 NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特

品牌：美國(guó)那諾-馬斯特型號(hào)：NPE-4000（ICPM）產(chǎn)地：美洲美國(guó)

廠商：那諾—馬斯特中國(guó)有限公司

簡(jiǎn)介：NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。可支持加熱和冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。
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￥88888

上海微行PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

品牌：上海微行爐業(yè) 型號(hào)：PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 產(chǎn)地：江蘇蘇州

廠商：上海微行爐業(yè)有限公司

簡(jiǎn)介：價(jià)格有優(yōu)勢(shì)，而且服務(wù)效率，質(zhì)量上面好而且有保證。
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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

品牌：諾巴迪型號(hào)：NBD-PECVD1200-80TID2ZY 產(chǎn)地：河南鄭州

廠商：河南諾巴迪材料科技有限公司

簡(jiǎn)介：該產(chǎn)品具有固態(tài)等離子源、分開式反應(yīng)氣體進(jìn)氣系統(tǒng)，動(dòng)態(tài)襯底溫控，控制真空系統(tǒng)，采用集中現(xiàn)場(chǎng)控制總線技術(shù)的Nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來(lái)操作。適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上保護(hù)層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。?
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快速熱化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(RTCVD)

品牌：韓國(guó)ECOPIA 型號(hào)：RTCVD 產(chǎn)地：亞洲韓國(guó)

廠商：上海載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
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低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD)

品牌：韓國(guó)ECOPIA 型號(hào)：LC-100, LC-102 產(chǎn)地：亞洲韓國(guó)

廠商：上海載德半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

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新品推薦: 上海微行PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
價(jià)格有優(yōu)勢(shì)，而且服務(wù)效率，質(zhì)量上面好而且有保證。; PECVD鍍膜設(shè)備 NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NANO-MASTER PECVD系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜z大可達(dá)12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來(lái)產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢(shì).樣品臺(tái)可以通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，腔體可以達(dá)到低至10-7 torr的真空。標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個(gè)MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無(wú)論是等離子強(qiáng)度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋z廣的可能性來(lái)獲得各種沉積參數(shù)。; PECVD設(shè)備 NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。; PECVD設(shè)備 NPE-4000(ICPA)自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。; CVD設(shè)備微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 那諾-馬斯特
NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，樣品臺(tái)通過(guò)RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓?？芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機(jī)械泵，真空可低至10-7 torr。標(biāo)準(zhǔn)配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個(gè)MFC。; 1700度高真空CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng); 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
該產(chǎn)品具有固態(tài)等離子源、分開式反應(yīng)氣體進(jìn)氣系統(tǒng)，動(dòng)態(tài)襯底溫控，控制真空系統(tǒng)，采用集中現(xiàn)場(chǎng)控制總線技術(shù)的Nobody控制軟件，以及友好用戶操作界面來(lái)操作。適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉積，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積，SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料，尤其適合于有機(jī)材料上保護(hù)層膜和特定溫度下無(wú)損傷鈍化膜的沉積。?; 超高真空多腔室物理氣相沉積系統(tǒng)
該系統(tǒng)由全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備商制造,配置多種沉積方式(預(yù)留各種功能接口),高度靈活,非常適合多種沉積模式的科研.