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小型臺(tái)式無(wú)掩膜光刻系統(tǒng)
EVG610納米壓印光刻系統(tǒng)
EVG6200 NT掩模對(duì)準(zhǔn)光刻系統(tǒng)
光刻膠固含量快速測(cè)試儀
EVG7300多功能紫外納米壓印光刻系統(tǒng)
技術(shù)特點(diǎn)
創(chuàng)新采用三柔性支點(diǎn)實(shí)現(xiàn)高精度自動(dòng)調(diào)平
真空接觸自動(dòng)曝光
樣片升降、調(diào)平、接觸、曝光、復(fù)位實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制
采用積木錯(cuò)位蠅眼透鏡實(shí)現(xiàn)高均勻照明
可連續(xù)設(shè)定分離間隙
采用雙目雙視場(chǎng)顯微鏡實(shí)現(xiàn)高對(duì)準(zhǔn)精度
整機(jī)具有性能可靠、操作方便、自動(dòng)化程度高等特點(diǎn)
產(chǎn)品參數(shù)
曝光面積:100mm×100mm
分辨力:1um(膠厚1.5μm的正膠)
對(duì)準(zhǔn)精度:±0.8μm
最大膠厚:300μm(SU8膠)
掩模尺寸:2.5 inch、3 inch、4 inch、5 inch
樣片尺寸:直徑Ф15mm--Ф100mm、厚度0.1mm--6mm(可擴(kuò)展為15mm);
照明均勻性:±4%(Ф100mm 范圍)
汞燈功率:350W(直流)
掩模相對(duì)于樣片運(yùn)動(dòng)行程:X: ±5mm; Y: ±5mm; θ: ±6°
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)1975次光刻類(lèi)
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)5989次半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)1824次中國(guó)科學(xué)院
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)1225次中國(guó)科學(xué)院
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)4593次半導(dǎo)體參數(shù)分析儀
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)1124次光刻機(jī)
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)1022次中國(guó)科學(xué)院
報(bào)價(jià):面議
已咨詢(xún)1263次中國(guó)科學(xué)院
步進(jìn)式光刻 更高的精度 激光主動(dòng)對(duì)焦 6 英寸加工幅面 特征尺寸0.4 μm
本設(shè)備是我公司專(zhuān)門(mén)針對(duì)各大、專(zhuān)院校及科研單位研發(fā)使用的一種精密光刻機(jī),主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、光電子器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn)。
采用AOD激光操控技術(shù),光斑定位精度優(yōu)于1nm,高精度套刻對(duì)準(zhǔn),結(jié)構(gòu)邊緣超平滑,可輕松構(gòu)建1微米以下線寬結(jié)構(gòu)。 先進(jìn)的AOD激光操控技術(shù),使得DaLI具有超高的激光定位精度(優(yōu)于1nm),超長(zhǎng)的有效壽命,以及極高的穩(wěn)定性。DaLI主要適用于廣泛應(yīng)用于MEMS、材料科學(xué)、微流控、微光學(xué)器件及其它微納加工領(lǐng)域。
主要優(yōu)勢(shì) ? 小巧桌上型系統(tǒng) ? 掩膜板制作及激光直寫(xiě) ? 375nm 或405nm 激光源 ? 兼容所有光刻膠 ? 高深寬比: 1 x 20
創(chuàng)新采用三柔性支點(diǎn)實(shí)現(xiàn)高精度自動(dòng)調(diào)平;真空接觸自動(dòng)曝光;樣片升降、調(diào)平、接觸、曝光、復(fù)位實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制;采用積木錯(cuò)位蠅眼透鏡實(shí)現(xiàn)高均勻照明;可連續(xù)設(shè)定分離間隙;采用雙目雙視場(chǎng)顯微鏡實(shí)現(xiàn)高對(duì)準(zhǔn)精度。整機(jī)具有性能可靠、操作方便、自動(dòng)化程度高等特點(diǎn)。