※ 廣泛應(yīng)用于導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體等領(lǐng)域。 

※ 用于納米級表面成分定性或定量分析，實(shí)現(xiàn)二次離子圖像 與二次電子圖像分析。配置離子刻蝕槍，可進(jìn)行材料深度 分布分析。 

※ 并行探測所有離子，包括有機(jī)和無機(jī)分析碎片。 

※ 寬范圍的質(zhì)量探測范圍（實(shí)際測量中>1000m/z原子 量）。 

※ 極高的空間分辨率。 ※ 超高靈敏度1E+9 atoms/cm 。 

※ 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體表面均可測試。