EP4是新一代的成像橢偏儀,它有機地結(jié)合了傳統(tǒng)光譜橢偏儀和光學(xué)顯微鏡技術(shù)。這使得我們能夠在小至1μm的微結(jié)構(gòu)上以橢偏儀的靈敏度表征薄膜厚度和折射率。顯微鏡部分能夠同時測量光學(xué)系統(tǒng)全視場范圍內(nèi)的所有結(jié)構(gòu)。傳統(tǒng)的橢偏儀注重于測量整個光斑,而不能實現(xiàn)高精度的橫向分辨率,并且需要逐點測量。 EP4的顯微鏡功能使得我們能夠獲得微觀結(jié)構(gòu)的橢偏增強對比圖像。在相機的實時圖像中可以看到折射率或厚度的微小變化。允許識別橢偏測量的感興趣區(qū)域(選區(qū)測量),以獲得厚度(0.1 nm-10μm)和折射率的值。單次測量就可以獲取厚度和折射率橫向變化的3D圖。 各種聯(lián)用技術(shù),例如原子力顯微鏡(AFM)、石英晶體微天平(QCM-D)、反射式測量儀、拉曼光譜儀等等,可以對同一區(qū)域進行原位分析。 另有在各種受控溫度和氣氛環(huán)境下測量的附件可選。
顯微鏡方式的橢偏測量
視野內(nèi)所有像素的同時測量
每個像素的光譜橢偏測量
最 高橫向橢偏分辨率
可以在小至1微米的微結(jié)構(gòu)上確定厚度和折射率
先識別,再測量
通過在實時橢偏視圖中繪制區(qū)域直觀選擇測量區(qū)域
連續(xù)光譜成像橢偏測量
從紫外到近紅外
主要功能
模塊化配置:從布魯斯特角顯微鏡、單波長成像橢偏儀、多波長成像橢偏儀、全光譜成像橢偏儀,在不同配置之間可輕松升級。
波長范圍190/250/360nm至1000/1700/2700 nm的光譜成像橢偏儀
橫向分辨率低至1um,可測量小至1um的微結(jié)構(gòu)的厚度和折射率
用于樣品實時可視化觀測的橢偏增強對比度圖像
先圖像識別樣品,然后再測量:在實時視場中直觀地選擇測量區(qū)域(選區(qū)測量)
所選視場內(nèi)多個區(qū)域(多個選區(qū))的平行測量
光斑切割技術(shù),消除橢偏測量的背底反射
多種附件可選,如電化學(xué)池、溫度控制或液體處理樣品池,滿足多種測量需求
質(zhì)量控制:提供OEM版本用于產(chǎn)品線中的質(zhì)量控制
應(yīng)用
2D材料
成像光譜橢偏儀表征石墨烯和其他2D材料,使用ep4橢偏儀分析CVD生長、剝離和外延生長的薄片。
橢偏法測量平面和曲面上的薄膜和AR涂層。ep4橢偏儀解決了微透鏡陣列上的AR涂層問題。
透明基板上的薄膜是柔性顯示器的關(guān)鍵。刀刃照明抑 制反射,允許非破壞性檢查。
硅烷化在涂料和粘合劑中結(jié)合礦物/無機和有機成分。成像橢偏法在沒有熒光標(biāo)記的結(jié)構(gòu)陣列中檢查鍵合形成。
各向異性微晶體在電子學(xué)中具有前景。成像穆勒矩陣橢偏法(IMME)測量各向異性薄膜樣品(如黑磷)的折射率和光軸方向。
成像橢偏法(IE)對單層和亞單層厚度具有高靈敏度。它提供了橢偏角的顯微圖和厚度變化的對比模式。像細(xì)胞和QCM-D這樣的附件增強了其生物應(yīng)用能力。
光譜橢偏法測量小至1μm的MEMS結(jié)構(gòu),提供0.1nm薄膜厚度分辨率。單次測量提供厚度、折射率、成分和污染。ECM模式允許快速質(zhì)量控制和曲面測量。
光譜橢偏法以1μm橫向分辨率和0.1nm厚度分辨率測量光纖和波導(dǎo)。覆蓋190nm到1700nm,可擴展到2700nm,提供光學(xué)數(shù)據(jù)和快速質(zhì)量控制。
微米級區(qū)域的光譜測量使用ROI概念在一次運行中進行多次測量。190nm的UV范圍表征顯示材料。單次測量提供厚度、分散和成分,RCE6模式允許不到20秒的節(jié)拍時間。
在操作成像橢偏法監(jiān)測充電和放電期間的電池電極材料,測量Delta和Psi的微觀地圖。提供來自各個區(qū)域的數(shù)據(jù),后處理分析包括輪廓、子區(qū)域和直方圖分析。
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