儀器網(wǎng)>知識(shí)百科>離子束刻蝕系統(tǒng) 更新時(shí)間：2026-02-07 00:28:28

離子束刻蝕系統(tǒng)百科

導(dǎo)讀: 離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器，其啟用于2005年10月1日。

目錄: 1離子束刻蝕系統(tǒng)原理 2離子束刻蝕系統(tǒng)功能 3離子束刻蝕系統(tǒng)特點(diǎn) 4離子束刻蝕系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo) 5離子束刻蝕系統(tǒng)影響因素

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1離子束刻蝕系統(tǒng)原理

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離子束刻蝕(IBE)介紹: 離子束刻蝕系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2005年10月1日啟用。

離子束刻蝕系統(tǒng)原理

2離子束刻蝕系統(tǒng)功能

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離子束刻蝕系統(tǒng)主要功能: 離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器，其啟用于2005年10月1日。

3離子束刻蝕系統(tǒng)特點(diǎn)

百科

離子束刻蝕技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn): 離子束刻蝕系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2005年10月1日啟用。

離子束刻蝕系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)

4離子束刻蝕系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

百科

離子束刻蝕系統(tǒng)介紹和技術(shù)指標(biāo): 離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器，其啟用于2005年10月1日。

5離子束刻蝕系統(tǒng)影響因素

百科

離子束刻蝕系統(tǒng)影響因素: 離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器，其啟用于2005年10月1日。

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NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以?xún)?nèi)。; 那諾-馬斯特 NIE-3500（A）全自動(dòng)IBE離子束刻蝕
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如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無(wú)法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過(guò)加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過(guò)熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。; 日本離子束刻蝕系統(tǒng)Elionix; 離子束刻蝕系統(tǒng); 美Nano-master IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)NIE-4000
IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)： NIE-4000 獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NIE-3500 緊湊型獨(dú)立式 IBE 刻蝕系統(tǒng) NIR-4000 獨(dú)立式 IBE / RIE 雙刻蝕系統(tǒng) NIE-3000 臺(tái)式 IBE 刻蝕系統(tǒng); 美Nano-master IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)NIE-4000
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