離子束刻蝕系統(tǒng)為一種在物理學(xué)、工程與技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)學(xué)科、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域得到應(yīng)用的工藝試驗(yàn)儀器，其啟用于2005年10月1日。

離子束刻蝕系統(tǒng)概念

離子束刻蝕也能夠被叫做離子銑，是指當(dāng)定向高能離子撞擊固體靶時(shí)，能量由入射離子往固體表面原子上轉(zhuǎn)移，若固體表面原子間結(jié)合能比入射離子能量低時(shí)，固體表面原子就會(huì)由表面上被除掉或者被移開(kāi)。一般來(lái)說(shuō)，惰性氣體為離子束刻蝕所用的離子的來(lái)源。

10納米為離子束zui小直徑，離子束刻蝕的結(jié)構(gòu)zui小可能不會(huì)比10納米低。聚焦離子束刻蝕的束斑能夠達(dá)到低于100納米，zui少能夠達(dá)到10納米，使zui小線寬12納米的加工結(jié)果獲得。與電子與固體相互作用相比較，在固體中離子具有較小的散射效應(yīng)，并且低于50納米的刻蝕可以通過(guò)較快的直寫速度來(lái)進(jìn)行，所以納米加工的一種理想方法為聚焦離子束刻蝕。

除此以外在計(jì)算機(jī)控制下的無(wú)掩膜注入，甚至無(wú)顯影刻蝕，對(duì)各種納米器件結(jié)構(gòu)的直接制造為焦離子束技術(shù)的另一優(yōu)點(diǎn)。然而，在離子束加工過(guò)程中，有著較為突出的損傷問(wèn)題，并且對(duì)于控制離子束加工精度比較困難，也沒(méi)有足夠高的控制精度。

離子束刻蝕系統(tǒng)主要功能

SiO2、Si、SiN、Mo、MoSi、Ta、TaSi、HfO2、光刻膠和多種金屬等均能夠進(jìn)行刻蝕，也就是在玻璃或石英等基片上對(duì)衍射光學(xué)元件進(jìn)行刻蝕，微細(xì)加工的一種重要手段就是離子束刻蝕。