- 2025-04-02 10:28:26氣體吸附技術(shù)
- 氣體吸附技術(shù)是一種利用固體表面吸附氣體分子的技術(shù)。該技術(shù)基于吸附劑（如活性炭、分子篩等）與氣體分子間的物理或化學(xué)作用力，實(shí)現(xiàn)氣體的分離、純化或富集。在環(huán)保、化工、食品、醫(yī)藥等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，如空氣凈化、氣體儲(chǔ)存與分離、催化劑制備等。氣體吸附過(guò)程通?？赡?，通過(guò)調(diào)節(jié)溫度、壓力等條件可實(shí)現(xiàn)吸附與脫附的循環(huán)操作，具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。
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氣體吸附技術(shù)問(wèn)答
- 2025-08-16 10:20:41戴永江《激光雷達(dá)技術(shù)》電子書(shū)
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- 2024-10-28 15:39:48便攜式色譜儀有哪些基本原理和技術(shù)？
- 一、便攜式色譜儀的基本構(gòu)造與原理便攜式色譜儀是一種集成化高、結(jié)構(gòu)緊湊的分析儀器，能夠快速檢測(cè)樣品中的化合物。它通常由進(jìn)樣系統(tǒng)、色譜柱、檢測(cè)器和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)等部分組成。設(shè)備通過(guò)氣體或液體將樣品帶入色譜柱中二、便攜式色譜儀的應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)境監(jiān)測(cè)在環(huán)境保護(hù)方面，便攜式色譜儀被廣泛用于檢測(cè)空氣、水體和土壤中的污染物。其快速的檢測(cè)速度和便攜的特性，使得工作人員可以在污染源頭直接獲取數(shù)據(jù)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，避免污染物進(jìn)一步擴(kuò)散。食品安全檢測(cè)在食品安全領(lǐng)域，便攜式色譜儀主要用于檢測(cè)食品中的農(nóng)藥殘留、添加劑以及其他有害物質(zhì)。設(shè)備不僅可以在現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，提高檢測(cè)效率，減少運(yùn)輸樣品帶來(lái)的時(shí)間延遲，同時(shí)保證樣品的原始狀態(tài)，提升檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。醫(yī)藥行業(yè)應(yīng)用 醫(yī)藥行業(yè)對(duì)化學(xué)成分的精確分析需求很高，便攜式色譜儀能夠在現(xiàn)場(chǎng)快速分析藥品中的有效成分和雜質(zhì)含量，提高藥品研發(fā)、生產(chǎn)及質(zhì)量檢測(cè)的效率。便攜式色譜儀在臨床診斷中也得到了應(yīng)用，幫助醫(yī)生進(jìn)行即時(shí)的藥物代謝分析，為臨床決策提供數(shù)據(jù)支持。圖片中展示了儀器在醫(yī)藥實(shí)驗(yàn)室和醫(yī)療現(xiàn)場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景，直觀展現(xiàn)了便攜式色譜儀的多樣化用途?；ば袠I(yè)的質(zhì)量控制化工企業(yè)中，便攜式色譜儀能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)生產(chǎn)流程中的化學(xué)成分，保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性。便攜式色譜儀的快速響應(yīng)能力，使得企業(yè)可以在短時(shí)間內(nèi)完成質(zhì)量檢查三、便攜式色譜儀在使用中的優(yōu)勢(shì)便攜式色譜儀與傳統(tǒng)的臺(tái)式色譜儀相比，具有無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)。其便攜性使得設(shè)備可以用于多種現(xiàn)場(chǎng)分析需求，如緊急事故、流動(dòng)檢測(cè)等。由于其集成化設(shè)計(jì)，便攜式色譜儀的操作更為簡(jiǎn)單，通常只需經(jīng)過(guò)短時(shí)間培訓(xùn)即可上手。便攜式色譜儀還具備快速檢測(cè)的能力，有助于減少傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)所需的等待時(shí)間，極大提升了效率。其小型化的結(jié)構(gòu)不需要復(fù)雜的電源支持，通常由電池驅(qū)動(dòng)，適合長(zhǎng)時(shí)間戶(hù)外使用。四、便攜式色譜儀選購(gòu)與使用建議對(duì)于用戶(hù)來(lái)說(shuō)，選擇合適的便攜式色譜儀至關(guān)重要。要根據(jù)具體需求選擇合適的色譜柱和檢測(cè)器，確保設(shè)備能夠高效分離和檢測(cè)目標(biāo)化合物。應(yīng)關(guān)注設(shè)備的檢測(cè)精度、響應(yīng)時(shí)間和電池續(xù)航能力，保證儀器在不同環(huán)境下的可靠性。
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- 2025-03-06 13:15:15濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)制造有哪些技術(shù)特點(diǎn)？
- 濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)制造：質(zhì)量與技術(shù)的結(jié)合 隨著工業(yè)自動(dòng)化水平的不斷提高，流量計(jì)作為測(cè)量和控制流體流量的重要工具，在眾多行業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。尤其是在一些需要防腐蝕性能的特殊環(huán)境下，防腐蝕流量計(jì)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。濟(jì)南作為中國(guó)流量計(jì)制造的重鎮(zhèn)，其防腐蝕流量計(jì)的制造技術(shù)日臻成熟，成為國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的重要供應(yīng)來(lái)源。本文將深入探討濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)制造的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)需求及其在多個(gè)行業(yè)中的應(yīng)用。 防腐蝕流量計(jì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 防腐蝕流量計(jì)是專(zhuān)為高腐蝕性介質(zhì)設(shè)計(jì)的流量測(cè)量?jī)x器，通常用于石油、化工、制藥、電力等行業(yè)。濟(jì)南的防腐蝕流量計(jì)制造商采用了先進(jìn)的材料技術(shù)和精密的制造工藝，確保儀器的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。防腐蝕流量計(jì)主要通過(guò)特殊的涂層、密封材料和耐腐蝕合金來(lái)抵御惡劣環(huán)境中的化學(xué)腐蝕，保證其長(zhǎng)期可靠運(yùn)行。 濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)制造商在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上注重實(shí)用性與創(chuàng)新性的結(jié)合，采用了高性能的流量傳感器和智能化的電子模塊，使得流量計(jì)不僅具有較強(qiáng)的抗腐蝕性能，還能夠提供高精度、高穩(wěn)定性的流量測(cè)量結(jié)果。濟(jì)南廠商還根據(jù)不同客戶(hù)的需求，提供定制化的防腐蝕流量計(jì)解決方案，以滿足各行業(yè)的特殊要求。 市場(chǎng)需求的持續(xù)增長(zhǎng) 近年來(lái)，隨著環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)和對(duì)生產(chǎn)工藝要求的提高，防腐蝕流量計(jì)的市場(chǎng)需求逐漸增大。特別是在石油、天然氣、化工等行業(yè)，由于使用的原材料和流體介質(zhì)具有高度腐蝕性，對(duì)流量計(jì)的要求更為嚴(yán)格。這使得濟(jì)南的防腐蝕流量計(jì)制造商憑借其成熟的技術(shù)積累和先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備，迅速占領(lǐng)市場(chǎng)并成為行業(yè)領(lǐng)軍者。 除了傳統(tǒng)行業(yè)，隨著新能源和環(huán)保產(chǎn)業(yè)的崛起，新的應(yīng)用場(chǎng)景也對(duì)防腐蝕流量計(jì)提出了新的需求。例如，在氫氣、天然氣、化學(xué)品等高腐蝕性介質(zhì)的運(yùn)輸與儲(chǔ)存過(guò)程中，對(duì)流量計(jì)的防腐蝕性能提出了更高要求。濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)制造商積極響應(yīng)市場(chǎng)變化，不斷創(chuàng)新，研發(fā)出了適應(yīng)不同工作環(huán)境的新型流量計(jì)，滿足了各行業(yè)的高精度、高性能需求。 濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)的廣泛應(yīng)用 濟(jì)南防腐蝕流量計(jì)廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，尤其是在石油、化工、電力、冶金、制藥和水處理等行業(yè)。以石油化工行業(yè)為例，流量計(jì)用于測(cè)量酸性氣體、化學(xué)液體及其他有腐蝕性的介質(zhì)。在這些應(yīng)用中，防腐蝕流量計(jì)的高耐腐蝕性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性保證了生產(chǎn)過(guò)程的順利進(jìn)行。 在制藥行業(yè)，防腐蝕流量計(jì)用于測(cè)量精密的化學(xué)物質(zhì)流量，要求流量計(jì)不僅具備良好的防腐蝕能力，還需要的測(cè)量結(jié)果，以確保生產(chǎn)過(guò)程中藥品的質(zhì)量和安全。濟(jì)南的防腐蝕流量計(jì)制造商通過(guò)采用新的制造工藝和材料技術(shù)，滿足了這一行業(yè)的需求。 總結(jié) 濟(jì)南的防腐蝕流量計(jì)制造技術(shù)在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)中占據(jù)了重要地位。憑借其的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和的制造工藝，濟(jì)南的防腐蝕流量計(jì)能夠應(yīng)對(duì)各類(lèi)惡劣環(huán)境中的流量測(cè)量需求。隨著市場(chǎng)對(duì)防腐蝕流量計(jì)的需求不斷增長(zhǎng)，濟(jì)南的制造商正不斷推出創(chuàng)新產(chǎn)品，以滿足不同行業(yè)的特殊需求。未來(lái)，隨著科技的進(jìn)步和工業(yè)自動(dòng)化水平的提升，濟(jì)南的防腐蝕流量計(jì)將在更多領(lǐng)域發(fā)揮更加重要的作用。
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- 2022-11-18 16:15:48反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)
- 反應(yīng)離子刻蝕概述：反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來(lái)進(jìn)行刻蝕的，利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來(lái)使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)，同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應(yīng)用于物理，生物，化學(xué)，材料，電子等領(lǐng)域。 工作原理：通常情況下，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的整個(gè)真空壁接地, 作為陽(yáng)極, 陰極是功率電極, 陰極側(cè)面的接地屏蔽罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個(gè)反應(yīng)室。對(duì)反應(yīng)腔中的腐蝕氣體, 加上大于氣體擊穿臨界值的高頻電場(chǎng), 在強(qiáng)電場(chǎng)作用下, 被高頻電場(chǎng)加速的雜散電子與氣體分子或原子進(jìn)行隨機(jī)碰撞, 當(dāng)電子能量大到一定程度時(shí), 隨機(jī)碰撞變?yōu)榉菑椥耘鲎? 產(chǎn)生二次電子發(fā)射, 它們又進(jìn)一步與氣體分子碰撞, 不斷激發(fā)或電離氣體分子。這種激烈碰撞引起電離和復(fù)合。當(dāng)電子的產(chǎn)生和消失過(guò)程達(dá)到平衡時(shí), 放電能繼續(xù)不斷地維持下去。由非彈性碰撞產(chǎn)生的離子、電子及及游離基(游離態(tài)的原子、分子或原子團(tuán)) 也稱(chēng)為等離子體, 具有很強(qiáng)的化學(xué)活性, 可與被刻蝕樣品表面的原子起化學(xué)反應(yīng), 形成揮發(fā)性物質(zhì), 達(dá)到腐蝕樣品表層的目的。同時(shí), 由于陰極附近的電場(chǎng)方向垂直于陰極表面, 高能離子在一定的工作壓力下, 垂直地射向樣品表面, 進(jìn)行物理轟擊, 使得反應(yīng)離子刻蝕具有很好的各向異性。所以，反應(yīng)離子刻蝕包括物理和化學(xué)刻蝕兩者的結(jié)合。 刻蝕氣體的選擇對(duì)于多晶硅柵電極的刻蝕，腐蝕氣體可用Cl2或SF6，要求對(duì)其下層的柵氧化膜具有高的選擇比?？涛g單晶硅的腐蝕氣體可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蝕SiO2的腐蝕氣體可用CHF3或CF4/H2；刻蝕Si3N4的腐蝕氣體可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蝕Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蝕氣體可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蝕W的腐蝕氣體可用SF6或CF4；刻蝕光刻膠的腐蝕氣體可用氧氣。對(duì)于石英材料, 可選擇氣體種類(lèi)較多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我們選用CHF3 氣體作為石英的腐蝕氣體。其反應(yīng)過(guò)程可表示為：CHF3 + e——CHF+2 + F (游離基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (氣體) + O 2 (氣體)。SiO 2 分解出來(lái)的氧離子在高壓下與CHF+2 基團(tuán)反應(yīng)， 生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多種揮發(fā)性氣體。對(duì)于鍺材料、選用含F(xiàn) 的氣體是十分有效的。然而, 當(dāng)氣體成份中含有氫時(shí), 刻蝕將受到嚴(yán)重阻礙, 這是因?yàn)闅淇梢院头咏Y(jié)合, 形成穩(wěn)定的HF, 這種雙原子HF 是不參與腐蝕的。實(shí)驗(yàn)證明, SF6 氣體對(duì)Ge 有很好的腐蝕作用。反應(yīng)過(guò)程可表示為：SF6 + e——SF+5 + F (游離基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (揮發(fā)性氣體) 。 設(shè)備：典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括圓柱形真空室，晶片盤(pán)位于室的底部。晶片盤(pán)與腔室的其余部分電隔離。氣體通過(guò)腔室頂部的小入口進(jìn)入，并通過(guò)底部離開(kāi)真空泵系統(tǒng)。所用氣體的類(lèi)型和數(shù)量取決于蝕刻工藝;例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過(guò)調(diào)節(jié)氣體流速和/或調(diào)節(jié)排氣孔，氣體壓力通常保持在幾毫托和幾百毫托之間的范圍內(nèi)。存在其他類(lèi)型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體（ICP）RIE。在這種類(lèi)型的系統(tǒng)中，利用RF供電的磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體。雖然蝕刻輪廓傾向于更加各向同性，但可以實(shí)現(xiàn)非常高的等離子體密度。平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作高密度離子源，其增加了蝕刻速率，而單獨(dú)的RF偏壓被施加到襯底（硅晶片）以在襯底附近產(chǎn)生定向電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)更多的各向異性蝕刻輪廓。 操作方法：通過(guò)向晶片盤(pán)片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場(chǎng)，在系統(tǒng)中啟動(dòng)等離子體。該場(chǎng)通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場(chǎng)通過(guò)剝離電子來(lái)電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體 。在場(chǎng)的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤(pán)。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場(chǎng)，更大質(zhì)量的離子移動(dòng)相對(duì)較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，它們被簡(jiǎn)單地送到地面并且不會(huì)改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤(pán)片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤(pán)片積聚電荷。這種電荷積聚在盤(pán)片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤(pán)漂移，在晶片盤(pán)中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過(guò)轉(zhuǎn)移一些動(dòng)能來(lái)敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對(duì)比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。
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- 2023-07-03 13:26:49纖維素測(cè)定儀技術(shù)特點(diǎn)
- 纖維素測(cè)定儀技術(shù)特點(diǎn)： 1.可同時(shí)處理3個(gè)樣品 2.樣品量：0.5-3g 3.重現(xiàn)性：
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