原代單核細(xì)胞衍生的樹(shù)突狀細(xì)胞(DC)吸收氧化鐵磁性納米粒子((MNP)的能力做出了評(píng)估，并報(bào)道了使用外部交變磁場(chǎng)(AMFs)誘導(dǎo)吸收MNP的樹(shù)突狀細(xì)胞（MNP-loaded DC）出現(xiàn)選擇性死亡的現(xiàn)象經(jīng)過(guò)五天的培養(yǎng)之后，發(fā)現(xiàn)MNP-loaded DC與未吸收MNP的對(duì)照組樹(shù)突狀細(xì)胞相比，細(xì)胞活力并未出現(xiàn)沒(méi)有明顯的降低通過(guò)磁力測(cè)定技術(shù)測(cè)量細(xì)胞質(zhì)吸收的MNP數(shù)量得出每個(gè)細(xì)胞可吸收1-5pg的MNP粒子通過(guò)透射電子顯微鏡,發(fā)現(xiàn)MNP在細(xì)胞內(nèi)的分布主要是在囊泡結(jié)構(gòu)這些細(xì)胞接受30分鐘的外部交變磁場(chǎng)(AMFs)后，發(fā)現(xiàn)對(duì)照組樹(shù)突狀細(xì)胞基本上不受影響然而同樣的外部交變磁場(chǎng)(AMFs)30分鐘處理后, MNP-loaded DC的存活率出現(xiàn)了顯著的減少，大約從90%降至2-5%使用陽(yáng)性(NH2+)或陰性(COOH−)表面官能團(tuán)的MNP對(duì)細(xì)胞存活率影響呈現(xiàn)出現(xiàn)同樣的結(jié)果盡管MNP-loaded DC細(xì)胞在外部交變磁場(chǎng)(AMFs)作用下大規(guī)模的死亡,MNP并未引起培養(yǎng)的細(xì)胞溫度的明顯升高，所以推測(cè)是由于很小的內(nèi)部紊亂導(dǎo)致細(xì)胞程序性凋亡，SEM顯示MNP-loaded DC細(xì)胞在外部交變磁場(chǎng)(AMFs)作用后細(xì)胞膜上出現(xiàn)明顯的萎縮和孔道的開(kāi)放，所以MNP引起的MNP存在的局部區(qū)域的損傷可能是引發(fā)細(xì)胞選擇性死亡的起因，清楚形態(tài)變化的細(xì)胞結(jié)構(gòu)在磁場(chǎng)應(yīng)用程序使用掃描電子顯微鏡觀察在腫瘤ZL領(lǐng)域，基于相關(guān)細(xì)胞有能力躲避網(wǎng)狀內(nèi)皮系統(tǒng)的監(jiān)視,使用MNP結(jié)合外部交變磁場(chǎng)(AMFs)進(jìn)行選擇性致死細(xì)胞的方法逐漸被認(rèn)為是很有希望的ZL方案