KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x產(chǎn)品介紹：

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x是KLA的電阻率測(cè)量產(chǎn)品。從半導(dǎo)體制造到實(shí)現(xiàn)可穿戴技術(shù)所需的柔性電子產(chǎn)品，薄膜電阻監(jiān)控對(duì)于任何使用導(dǎo)電薄膜的行業(yè)都相當(dāng)重要。KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x在功能上針對(duì)金屬薄膜均勻性測(cè)繪、離子注入表征和退火特性、薄膜厚度和電阻率測(cè)量以及非接觸式薄膜厚度測(cè)量進(jìn)行了優(yōu)化。

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x優(yōu)勢(shì)：

• 測(cè)試點(diǎn)自定義編輯,包括矩形、線性、極坐標(biāo)以及自定義配置

• 可選至多可容納300毫米圓形或A4（210mm*297mm）樣品

• 導(dǎo)體和半導(dǎo)體薄膜電阻，10個(gè)數(shù)量級(jí)范圍適用

• 可配置四探針(4PP)或非接觸式渦流(EC)模式

• 封閉系統(tǒng)便于測(cè)量光敏或者環(huán)境敏感樣品

• 支持15mm最大樣品高度

• 高精度X-Y平臺(tái)

• 較小的EC探頭尺寸

• 自動(dòng)EC探針高度誤差校正

• 兼容KLA薄膜電阻測(cè)量探針;

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x測(cè)量原理：

四點(diǎn)探針(4PP)由四個(gè)導(dǎo)電探針組成的探頭以可控力接觸導(dǎo)電層表面,其中在被測(cè)導(dǎo)電層和襯底之間有非導(dǎo)電阻擋層。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量的探針配置是在兩個(gè)外側(cè)探針之間施加電流并在兩個(gè)內(nèi)側(cè)探針之間測(cè)量電壓。測(cè)量薄膜電阻時(shí)，導(dǎo)電層厚度應(yīng)小于兩個(gè)探針之間距離的1/2。KLA在R54四探針電阻率測(cè)量?jī)x上研發(fā)了雙模技術(shù)，該技術(shù)允許測(cè)量間隔探針上的電壓，并配置了邊界效應(yīng)動(dòng)態(tài)校正和探針間距誤差補(bǔ)償功能。KLA提供了豐富的探針類型以適用和優(yōu)化不同表面材料的特性表征測(cè)量，幾乎可用于任何導(dǎo)電薄膜或離子注入層。

電渦流(EC)是非接觸式導(dǎo)電薄膜測(cè)量技術(shù)。通過(guò)線圈施加時(shí)變電流以產(chǎn)生時(shí)變磁場(chǎng)，當(dāng)該磁場(chǎng)靠近導(dǎo)電表面時(shí)，會(huì)在該表面中產(chǎn)生感應(yīng)時(shí)變電流（渦流)。這些電渦流反過(guò)來(lái)會(huì)產(chǎn)生它們自己的時(shí)變磁場(chǎng)，該磁場(chǎng)與探針線圈耦合并產(chǎn)生與樣品的電阻成比例的信號(hào)變化。KLA特殊的EC技術(shù)，單個(gè)探頭位于樣品頂部，可以動(dòng)態(tài)的調(diào)整每個(gè)測(cè)量點(diǎn)的探頭高度，這對(duì)測(cè)量的準(zhǔn)確性和重復(fù)性相當(dāng)重要。EC法不受探頭尺寸或表面氧化的影響，非常適合較軟的或其它不適用于4PP接觸法測(cè)量的樣品。

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x行業(yè)應(yīng)用：

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x產(chǎn)品應(yīng)用：

一、金屬薄膜均勻性

金屬薄膜的薄膜電阻均勻性對(duì)于確保元件性能相當(dāng)重要，大多數(shù)金屬薄膜都可以通過(guò)4PP和EC進(jìn)行測(cè)量。EC推薦用于較厚的高導(dǎo)電金屬膜，4PP適用于較薄的金屬膜(>10Ω/sq)，但無(wú)論如何，4PP/EC均表現(xiàn)出高相關(guān)性，從而可以使用任何一種方法都可以獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x電阻分布圖可以表征薄膜均勻性、沉積質(zhì)量及其它工藝波動(dòng)。

二、離子注入表征

4PP法是衡量離子注入工藝的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)。在熱退火后通過(guò)測(cè)試離子注入分布可以識(shí)別由于燈故障、晶圓/平臺(tái)接觸不良或注入劑量變化而引起的熱點(diǎn)和冷點(diǎn)。對(duì)于硅離子注入層，熱退火工藝對(duì)于活化摻雜離子是必要的。

三、薄膜厚度/電阻率/薄膜電阻

通過(guò)采集的晶圓數(shù)據(jù)，KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x可以繪制出薄膜電阻、薄膜厚度或電阻率分布圖。通過(guò)輸入材料的電阻率,可以計(jì)算和顯示膜厚分布;或者通過(guò)輸入膜厚數(shù)據(jù),則可以計(jì)算電阻率分布。

四、數(shù)據(jù)采集和可視化

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x的RSMapper軟件將數(shù)據(jù)采集和分析功能結(jié)合在一起，擁有直觀的可視化界面，即可以用于設(shè)備本身，也可以進(jìn)行離線使用。軟件自帶的各種坐標(biāo)布局工具可以幫助用戶輕松設(shè)置數(shù)據(jù)測(cè)量點(diǎn)。

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x產(chǎn)品參數(shù)：

KLA R54 四探針電阻率測(cè)量?jī)x測(cè)量圖：