美國KRI產(chǎn)品
美國KRI應(yīng)用領(lǐng)域
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- 上海伯東離子束刻蝕機(jī)物理量傳感器 MEMS 刻蝕應(yīng)用
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2023-10-11 15:01
應(yīng)用方案|
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- Hakuto離子蝕刻機(jī) 20IBE-C 用于蝕刻KDP晶體
- [詳細(xì)]
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2021-09-01 14:29
工作原理|
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- Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 用于鐵電薄膜研究
- [詳細(xì)]
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2021-09-01 14:28
應(yīng)用方案|
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- hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 用于芯片制造中厚鋁刻
- [詳細(xì)]
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2021-09-01 14:28
科技文獻(xiàn)|
- 關(guān)于
美國KRI
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- 1978年Kaufman博士在美國創(chuàng)立Kaufman & Robinson,Inc公司，研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源Gridded和霍爾離子源Gridless。美國考夫曼離子源歷經(jīng)幾十年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利。 離子源廣泛用于離子清洗 PC，離子蝕刻IBE，輔助鍍膜 IBAD，離子濺射沉積IBSD領(lǐng)域。
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